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现行 DB35/T 1370-2013
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发光二极管芯片点测方法
发布日期: 2013-12-04
实施日期: 2014-03-01
本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试
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