首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
现行 MIL DSCC 5962-96633C
到馆提醒
收藏跟踪
购买正版
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD CLOCKED D LATCH, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96633) 微电路 数字 抗辐射CMOS 四时钟D锁存器 单片硅(取代DESC 5962-96633)
发布日期: 2003-07-02
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL DESC 81019B
MICROCIRCUITS,DIGITAL,CMOS,QUAD D LATCH, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、CMOS、四D锁存器、单片硅
1984-12-14
现行
MIL DESC 5962-96606 Notice B-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD D-TYPE FLIP-FLOP, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 四D型触发器 单片硅
1997-08-18
现行
MIL DESC 5962-96606 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD D-TYPE FLIP-FLOP, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 四D型触发器 单片硅
1997-02-28
现行
MIL DESC 5962-96606
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD D-TYPE FLIP-FLOP, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、抗辐射CMOS、四D型触发器、单片硅
1995-12-05
现行
MIL DSCC 5962-98635 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD D-FLIP-FLOP WITH RESET, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化 高级CMOS 带复位的四D触发器 单片硅
1999-09-13
现行
MIL DSCC 5962-98635
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD D-FLIP-FLOP WITH RESET, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 抗辐射 先进的CMOS 复位四D触发器 单片硅
1999-06-01
现行
MIL DESC 5962-96627
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD AND/OR SELECT GATE, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、抗辐射CMOS、四栅极和/或选择栅极、单片硅
1995-12-15
现行
MIL DESC 5962-96627 Notice B-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD AND/OR SELECT GATE, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 四栅极和/或选择栅极 单片硅
1997-07-29
现行
MIL DESC 5962-96627 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD AND/OR SELECT GATE, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 四栅极和/或选择栅极 单片硅
1997-04-04
现行
MIL DESC 5962-95820
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS STATIC CLOCK CONTROLLER/GENERATOR, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 抗辐射CMOS静态时钟控制器/发生器 单片硅
1996-01-05
现行
MIL DSCC 5962-96634C
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD THREE-STATE R/S LATCH, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96634)
微电路 数字 抗辐射CMOS 四态R/S锁存器 单片硅(取代DESC 5962-96634)
2003-07-02
现行
MIL DSCC 5962-98624 Notice A-Revision
MICROCIRCUITS, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD 2 INPUT OR GATE, MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 辐射硬化 高级CMOS quad2输入或栅极 单片硅
1999-04-13
现行
MIL DSCC 5962-98624
MICROCIRCUITS, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD 2 INPUT OR GATE, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、抗辐射、高级CMOS、四路2输入或门、单片硅
1998-11-11
现行
MIL DSCC 5962-96646C
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD EXCLUSIVE OR GATE MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96646)
微电路 数字 抗辐射CMOS 四异或门单片硅(取代DESC 5962-96646)
2003-07-02
现行
MIL DSCC 5962-96652C
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, QUAD BILATERAL SWITCH, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96652)
微电路 数字 抗辐射 CMOS 四双边开关 单片硅(取代DESC 5962-96652)
2003-07-02
现行
MIL DSCC 5962-98625
MICROCIRCUITS, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、抗辐射、高级CMOS、四路2输入NAND施密特触发器、单片硅
1998-11-11
现行
MIL DESC 5962-96588 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, OCTAL TRANSPARENT LATCH WITH THREE-STATE OUTPUTS, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化 高级CMOS 带三态输出的八进制透明锁存器 单片硅
1996-11-19
现行
MIL DESC 5962-96588
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, OCTAL TRANSPARENT LATCH WITH THREE-STATE OUTPUTS, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、抗辐射、高级CMOS、带三态输出的八进制透明锁存器、单片硅
1996-04-19
现行
MIL DSCC 5962-98634 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, HEX D FLIP-FLOP WITH RESET, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化 高级CMOS 带复位的十六进制D触发器 单片硅
1999-09-13
现行
MIL DSCC 5962-98634
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, HEX D FLIP-FLOP WITH RESET, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 抗辐射 先进的CMOS 复位十六进制D触发器 单片硅
1999-06-01