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现行 IEC 62416:2010
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Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors 半导体器件 - Mos晶体管上的热载体测试
发布日期： 2010-04-26
IEC 62416:2010描述了NMOS和PMOS晶体管的晶圆级热载流子测试。该测试旨在确定特定（C）MOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子寿命。
IEC 62416:2010 describes the wafer level hot carrier test on NMOS and PMOS transistors. The test is intended to determine whether the single transistors in a certain (C)MOS process meet the required hot carrier lifetime.
分类信息
发布单位或类别： 国际组织-国际电工委员会
ICS分类： 31.080电子学 - 半导体分立器件
关联关系
研制信息
归口单位： TC 47
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