首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
现行 ГОСТ 19656.10-88
到馆阅读
收藏跟踪
购买正版
Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь 半导体微波开关和限幅二极管 测量损耗电阻的方法
实施日期: 1989-07-01
本标准适用于半导体开关限制性和微波二极管,并且设置测量0.3-10千兆赫的频率范围内的电阻损失的以下方法:   1)在低的微波功率水平限制微波二极管损耗电阻;   2)电阻直接和开关二极管和微波限制性反向电阻切换微波二极管的损失的损失:    a)测量具有可移动探头线的方法;    b)测量线用固定探针的方法;    c)中谐振器法
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод
分类信息
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规