GB/T 1551-1995-硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法-国家数字标准馆

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硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法 Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe

发布日期： 1995-04-18

实施日期： 1995-12-01

废止日期： 2010-06-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H21冶金 - 金属理化性能试验方法 - 金属物理性能试验方法

ICS分类： 77.040.30金属材料试验 - 金属材料化学分析

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：上海有色金属研究所

起草人：林敏敏、金胜祖、施海青

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