现行

IEC 60747-3-2013

Semiconductor devices - Part 3: Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes
半导体器件第3部分:分立器件:开关稳压二极管

2013-07-09

现行

KS C IEC 60747-3

반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管

2016-12-29

现行

KS C IEC 60747-3(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调节二极管

2016-12-29

现行

GOST 29210-1991

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения
半导体器件 离散设备 信号（包括开关）和稳压二极管

现行

BS IEC 60747-3-2013

Semiconductor devices-Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes
半导体器件

2015-04-30

现行

KS C IEC 60747-3-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제1절：신호 다이오드, 스위칭 다이오드 및 제어 애벌란시 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第一节:信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管空白详细规范

2006-12-11

现行

IEC 60747-2-2016

Semiconductor devices - Part 2: Discrete devices - Rectifier diodes
半导体器件 - 第2部分:分立器件 - 整流二极管

2016-04-13

现行

KS C IEC 60747-2

반도체 소자 — 제2부：개별 소자 —정류 다이오드
半导体器件第2部分:分立器件整流二极管

2021-12-29

现行

GB/T 6588-2000

半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes

2000-10-17

现行

KS C IEC 60747-4

반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

2017-05-30

现行

IEC 60747-4-2007+AMD1-2017 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

2017-01-30

现行

IEC 60747-4-2007

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
半导体器件 - 分立器件 - 第4部分:微波二极管和晶体管

2007-08-23

现行

KS C IEC 60747-4

반도체 소자 — 개별 소자 — 제4부: 마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管

2022-12-08

现行

GB/T 6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管
Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes

1995-07-24

现行

KS C IEC 60747-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자 및 집적 회로－제2부：정류 다이오드
半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

2006-12-11

现行

GB/T 4023-2015

半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits— Part 2: Rectifier diodes

2015-12-31

现行

GOST 29209-1991

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды
半导体器件 分立器件和集成电路 第二部分 整流二极管

现行

IEC 60747-4-2007/AMD1-2017

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管

2017-01-30

现行

BS 10/30231573 DC

BS EN 60747-3. Semiconductor devices. Part 3. Signal (including switching diodes) and regulator diodes
英国标准EN 60747-3 半导体器件 第三部分 信号（包括开关二极管）和调节器二极管

2010-07-13

现行

KS C IEC 60747-3-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제2절：온도 보상형 정밀 기준 다이오드를 제외한 정전압 다이오드 및 전압 기준 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第2节:调压二极管和电压基准二极管空白详细规范 不包括温度补偿精密基准二极管

2006-12-11