Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра
确保测量一致性的状态系统 晶体中的晶面间距和衍射图中的强度分布 通过电子衍射仪进行测量的方法
实施日期:
2010-09-01
此标准规定了晶体,晶薄膜和涂层,以及在通过电子衍射仪从电子在晶体的光束的衍射获得的衍射图的反射的纳米晶体强度的分布的晶面间距的测4568定方法。该标准被用于确定在从0.045688到20.00 nm和分布的电流强度的反射在从10到艺术的范围内的晶体4568所获得的衍射图的线性尺寸的4568范围内的晶体中的晶面间距。 minus14到10中的艺术。零下6 A.
本标准不用于确定晶体和晶体的密勒指数面的单位晶格的类型,在它们之间的距离来计算方法
Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра.
Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус14 до 10 в ст. минус 6 А.
Настоящий стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния