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现行 MIL MIL-M-38510/231B
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MICROCIRCUIT, DIGITAL, SCHOTTKY TTL, 1024 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/231A) 肖特基TTL数字微电路 1024位随机存取存储器(RAM)单片硅(取代MIL-M-38510/231A)
发布日期: 1982-04-02
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL MIL-M-38510/402A Notice 1-Validation
MICROCIRCUITS, DIGITAL, MOS, 1024-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT) (SUPERSEDING MIL-M-38510/402)
微型计算机 数字 MOS 1024位静态随机存取存储器(RAM) 单片硅(无S/S文件)(取代MIL-M-38510/402)
1988-11-30
现行
MIL MIL-M-38510/402A Notice 2-Cancellation
MICROCIRCUITS, DIGITAL, MOS, 1024-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT) (SUPERSEDING MIL-M-38510/402)
数字微电路 MOS 1024位静态随机存取存储器(RAM) 单片硅(无S/S文件)(取代MIL-M-38510/402)
1996-01-04
现行
MIL MIL-M-38510/471A Notice 1-Cancellation
MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS/SOS 1024 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/471) (NO S/S DOCUMENT)
数字微型电路 CMOS/SOS 1024位随机存取存储器(RAM)单片硅(取代MIL-M-38510/471)(无S/S文件)
1996-01-04
现行
MIL MIL-M-38510/402A
MICROCIRCUITS, DIGITAL, MOS, 1024-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT) (SUPERSEDING MIL-M-38510/402)
微电路、数字、MOS、1024位静态随机存取存储器(RAM)、单片硅(无S/S文件)(取代MIL-M-38510/402)
1983-08-09
现行
MIL MIL-M-38510/471A
MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS/SOS 1024 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/471) (NO S/S DOCUMENT)
CMOS/SOS 1024位随机存取存储器(RAM)单片硅数字微电路(取代MIL-M-38510/471)(无S/S文件)
1983-09-30