现行

KS C IEC 60747-6(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管

2006-12-27

现行

KS C IEC 60747-6

반도체 소자 — 제6부：개별 소자 —사이리스터
半导体器件第6部分:分立器件晶闸管

2021-12-29

现行

IEC 60747-6-2016

Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors
半导体器件 - 第6部分:分立器件 - 晶闸管

2016-04-13

现行

DIN EN 60747-5-6-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-6: Optoelectronic devices - Light emitting diodes (IEC 47E/418/CD:2011)
文件草案-半导体器件-分立器件-第5-6部分:光电子器件-发光二极管（IEC 47E/418/CD:2011）

2011-12-01

现行

DIN IEC 60747-15-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 15: Isolated power semiconductor devices (IEC 47E/322/CD:2007)
文件草案.半导体器件.分立器件.第15部分:隔离功率半导体器件（IEC 47E/322/CD:2007）

2007-06-01

现行

BS 11/30252924 DC

BS EN 60747-5-6. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 5-6. Optoelectronic devices. Light emitting diodes
英国标准EN 60747-5-6 半导体器件 离散设备 第5-6部分 光电器件 发光二极管

2011-09-07

现行

DIN EN 60747-5-7-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors (IEC 47E/420/CD:2011)
文件草案-半导体器件-分立器件-第5-7部分:光电子器件-光电二极管和光电晶体管（IEC 47E/420/CD:2011）

2011-12-01

现行

DIN IEC 60747-7-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors (BTRs) (IEC 47E/324/CD:2007)
文件草案.半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管（BTR）（IEC 47E/324/CD:2007）

2007-09-01

现行

DIN IEC 60747-4-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors (IEC 47E/265/CD:2004)
文件草案.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管（IEC 47E/265/CD:2004）

2005-01-01

现行

DIN IEC 60747-8-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors (IEC 47E/320/CD:2007)
文件草案.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管（IEC 47E/320/CD:2007）

2007-06-01

现行

DIN IEC 60747-14-4-DRAFT

Draft Document - Discrete semiconductor devices - Part 14-4: Semiconductor accelerometers (IEC 47E/220/CD:2002)
文件草案分立半导体器件第14-4部分:半导体加速计（IEC 47E/220/CD:2002）

2002-09-01

现行

DIN VDE 0884-2/A2-DRAFT

Draft Document - Changes for IEC 60747-5-2:1997 + A1:2002; Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-2: Optoelectronic devices; Essential ratings and characteristics
文件草案——IEC 60747-5-2:1997+A1:2002的变更；分立半导体器件和集成电路.第5-2部分:光电子器件；基本评级和特征

2002-11-01

现行

KS C IEC 60747-6-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-1(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-2(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

GB/T 6352-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-6-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-3(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

GB/T 13151-2005

半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

2005-03-23