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现行 MIL MIL-M-38510/615 Notice 4-Validation
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Microcircuits, Digital, VHSIC, CMOS, 4096-BIT, 4-Port Static Random Access Memory (SRAM), Monolithic Silicon 微电路、数字、VHSIC、CMOS、4096位、4端口静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅
发布日期: 2010-12-22
本规范涵盖了单片硅、CMOS、4096位静态随机存取存储器微电路的详细要求。本文中的微电路符合第一阶段甚高速集成电路(VHSIC)计划中定义的功能吞吐量。提供了两种产品保证等级和一种外壳轮廓和铅饰面选择,并反映在完整的零件号中。
This specification covers the detail requirements for monolithic silicon, CMOS, 4,096-bit static random access memory microcircuits. The microcircuits herein conform to the functional throughput rate as defined in the phase I Very High Speed Integrated Circuit (VHSIC) program. Two product assurance classes and a choice of case outlines and lead finishes are provided and are reflected in the complete part number.
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发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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