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现行 IEEE 300-1969
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USA Standard and IEEE Test Procedure for Semiconductor Radiation Detectors (For Ionizing Radiation) 半导体辐射探测器(电离辐射用)的美国标准和IEEE测试程序
发布日期: 1968-11-30
本文中半导体辐射检测器的定义将是:利用多余自由载流子的产生和运动来检测和测量入射辐射的半导体器件。“半导体辐射探测器放大器和前置放大器的美国标准和IEEE测试程序”(USAS N42.2和IEEE 301)中描述了相关放大器和前置放大器的测试程序。
The definition of a semiconductor radiation detector herein will be: A semiconductor device that utilizes the production and motion of excess free charge carriers for the detection and measurement of incident radiation. Test procedures for the associated amplifiers and preamplifiers are described in "USA Standard and IEEE Test Procedure for Amplifiers and Preamplifiers for Semiconductor Radiation Detectors" (USAS N42.2 and IEEE 301).
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