现行

IEC 60747-2-2016

Semiconductor devices - Part 2: Discrete devices - Rectifier diodes
半导体器件 - 第2部分:分立器件 - 整流二极管

2016-04-13

现行

KS C IEC 60747-2

반도체 소자 — 제2부：개별 소자 —정류 다이오드
半导体器件第2部分:分立器件整流二极管

2021-12-29

现行

BS EN 60747-2-2016

Semiconductor devices-Discrete devices. Rectifier diodes
半导体器件

2018-02-06

现行

BS IEC 60747-2-2016

Semiconductor devices. Discrete devices. Rectifier diodes
半导体器件 离散设备 整流二极管

2018-02-06

现行

KS C IEC 60747-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자 및 집적 회로－제2부：정류 다이오드
半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

2006-12-11

现行

GB/T 4023-2015

半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits— Part 2: Rectifier diodes

2015-12-31

现行

DIN IEC 60747-2

Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 2: Rectifier diodes (IEC 60747-2:2000)
半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

2001-02-01

现行

KS C IEC 60747-2-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100A及以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-2-1(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

2006-12-11

现行

GOST 29209-1991

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды
半导体器件 分立器件和集成电路 第二部分 整流二极管

现行

SJ 50033.47-1994

半导体分立器件2CZ117型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ117 silicon rectifier diode

1994-09-30

现行

SJ 50033.46-1994

半导体分立器件2CZ59型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode

1994-09-30

现行

SJ 50033.45-1994

半导体分立器件2CZ58型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ58 silicon rectifier diode

1994-09-30

现行

SJ 20067-1992

半导体分立器件 ２ＣＺ３０型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 2CZ30 silicon rectifier diode

1992-11-19

现行

SJ 50033/135-1997

半导体分立器件 2CZ10型硅开关整流二极管详细规范
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CZ10silicon switching rectifier diode

1997-06-17

现行

KS C IEC 60747-2-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제2절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-2-2(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제2절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-4

반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

2017-05-30

现行

IEC 60747-4-2007+AMD1-2017 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

2017-01-30

现行

IEC 60747-4-2007

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
半导体器件 - 分立器件 - 第4部分:微波二极管和晶体管

2007-08-23