SJ 58119/1-2018-半导体光电子器件GD3561T型铟镓砷光电二极管详细规范-国家数字标准馆

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半导体光电子器件GD3561T型铟镓砷光电二极管详细规范 Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for InGaAs photodiode of GD3561T

发布日期： 2018-01-18

实施日期： 2018-05-01

本规范规定了半导体光电子器件GD3561T型铟镓砷(InGaAs)光电二极管(以下简称"器件")的详细耍求。
本规范适用于GD3561T型锢嫁肺光电二极管

分类信息

发布单位或类别：中国-行业标准-电子

关联关系

研制信息

归口单位：工业和信息化部电子第四研究院

起草单位：工业和信息化部电子第四研究院、中国电子科技集团公司第四十四研究所、成都理邦系统工程有限公司

起草人：刘秀娟、赵英、蒋利群、郭萍、罗海莹、潘况

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