现行

SJ/T 2658.1-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 1:General

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.2-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 2:Forward voltage

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.11-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 11:Response time

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.6-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 6:Radiant power

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.7-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 7:Radiant flux

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.4-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 4:Total capacitance

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.10-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 10:Modulation bandwidth

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.14-2016

半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 14:Junction temperature

2016-01-15

现行

SJ/T 2658.15-2016

半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 15:Thermal resistance

2016-01-15

现行

SJ/T 2658.8-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 8:Radiant intensity

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.5-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 5:Series connection resistance

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.13-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 13:Temperature coefficient for radiant power

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.3-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 3:Reverse voltage and reverse current

2015-10-10

现行

SJ/T 2658.16-2016

半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 16:Photo-electric conversion efficiency

2016-01-15

现行

SJ/T 2658.9-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角
Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode - Part 9:Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle

2015-10-10

现行

GB/T 18904.1-2002

半导体器件 第12-1部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
Semiconductor devices--Part 12-1:Optoelectronic devices--Blank detail specification for light emitting/infrared emitting diodes with/without pigtail for fiber optic systems or sub-systems

2002-12-04

现行

IEC TR 60747-5-12-2021

Semiconductor devices - Part 5-12: Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of LED efficiencies
半导体器件第5-12部分:光电子器件发光二极管LED效率的试验方法

2021-10-13