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现行 MIL MIL-PRF-19500/765B
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Semiconductor Device, Diode, Silicon, Dual Schottky, Common Cathode, Encapsulated (Through-Hole and Surface Mount), Type 1N7072, and 1N7078 JAN, JANTX, JANTXV, and JANS 半导体器件 二极管 硅 双肖特基 共阴极 封装（通孔和表面安装） 1N7072和1N7078型JAN JANTX JANTXV和JANS
发布日期： 2016-03-14
本规范涵盖了用于高频开关电源和谐振功率转换器的硅、双肖特基、中心抽头功率整流二极管的性能要求。为每个封装设备提供四个级别的产品保证（JAN、JANTX、JANTXV和JANS）。
This specification covers the performance requirements for a silicon, dual Schottky, center-tap power rectifier diode for use in high frequency switching power supplies and resonant power converters. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV, and JANS) are provided for each encapsulated device.
分类信息
发布单位或类别： 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
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半导体器件、二极管、硅、肖特基、功率整流器、公共阴极、公共阳极中心抽头、倍频器、1N6660、1N6660CCT1、1N6660R、1N6660CAT1和1N6660DT1、JAN、JANTX、JANTXV和JANS型
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半导体器件 二极管 硅 肖特基 双 中心抽头 1N7039CCT1、1N7039CCU1和1N7047CCT3型 JANTX、JANTSV和JANS
2010-10-01
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SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, SCHOTTKY, POWER RECTIFIER, COMMON CATHODE OR COMMON ANODE CENTER TAP, TYPES 1N6660 AND 1N6660R JAN, JANTX, JANTXV AND JANS (SUPERSEDING MIL-S-19500/608)
半导体器件 二极管 硅 肖特基 功率整流器 公共阴极或公共阳极中心抽头 类型1N6660和1N6660R JAN JANTX JANTXV和JANS（取代MIL-S-19500/608）
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半导体器件 二极管 硅 肖特基 功率整流器 公共阴极或公共阳极中心抽头 类型1N6660和1N6660R JAN JANTX JANTXV和JANS（取代MIL-S-19500/608）
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半导体器件 二极管 硅 肖特基 双 中心抽头 1N7037CCU1 1N7043CAT1 1N7043CCT1 JAN JANTX JANTSV和JANS型
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Semiconductor Device, Diode, Silicon, Schottky, Dual, Center Tap, Types 1N7037CCU1, 1N7043CAT1, 1N7043CCT1, JAN, JANTX, JANTXV, and JANS
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