MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 4 SRAM、单片硅

1994-04-08

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 64K X 4 SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-88681A)
微电路、存储器、数字、CMOS 64K X 4 SRAM、单片硅（取代DESC 5962-88681A）

1997-08-19

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 SRAM WITH OE, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89524)
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 4 SRAM和OE、单片硅（取代DESC 5962-89524）

1994-03-24

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 4静态随机存取存储器（SRAM） 具有独立I/O和透明写入 单片硅

1992-12-09

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 SRAM WITH SEPRATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89935)
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 4 SRAM 带SEPRATE I/O 单片硅（取代DESC 5962-89935）

2000-08-30

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 16K X 4 BITS SRAM, (STD POWER), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-89712A)
微电路、存储器、数字、CMOS 16K X 4位SRAM（标准电源）、单片硅（取代DSCC 5962-89712A）

2007-06-15

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) LOW POWER MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-88552E)
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8静态随机存取存储器（SRAM）低功耗单片硅（取代DSCC 5962-88552E）

2002-08-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) LOW POWER, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-89598P)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8静态随机存取存储器（SRAM） 低功耗 单片硅（取代DSCC 5962-89598P）

2006-02-13