GB/T 1553-1997-硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法-国家数字标准馆

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硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

发布日期： 1997-06-03

实施日期： 1997-12-01

废止日期： 2010-06-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H21冶金 - 金属理化性能试验方法 - 金属物理性能试验方法

ICS分类： 77.040.01金属材料试验 - 金属材料试验综合

关联关系

研制信息

归口单位：中国有色金属工业总公司标准计量研究所

起草单位：峨嵋半导体材料厂

起草人：吴道荣、刘文魁、尹建华、吴福立

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