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现行 MIL DESC 5962-96607
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MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, LOOK-AHEAD CARRY GENERATOR, MONOLITHIC SILICON 微电路、数字、抗辐射、CMOS、超前进位发生器、单片硅
发布日期: 1995-12-29
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
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现行
MIL DESC 5962-96607 Notice B-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, LOOK-AHEAD CARRY GENERATOR, MONOLITHIC SILICON
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2005-12-06
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2003-12-11
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MIL DESC 5962-96585
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1996-12-20
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MIL DSCC 5962-96619C
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 4-BIT FULL ADDER WITH PARALLEL CARRY OUT, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96619)
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2003-10-16
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MIL DSCC 5962-96609C
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 14 STAGE RIPPLE-CARRY BINARY COUNTER/DIVIDER AND OSCILLATOR, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96609)
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MIL DSCC 5962-96584A
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2006-03-20
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MIL DESC 5962-96584
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1996-11-18
现行
MIL DSCC 5962-96585A
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2006-04-25
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微电路 数字 抗辐射 高速CMOS 带快速进位的4位二进制全加器 TTL兼容输入 单片硅(取代DESC 5962-95774)
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