20213173-T-339-半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验-国家数字标准馆

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半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films

下达日期： 2021-08-24

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准计划

CCS分类： L55电子元器件与信息技术 - 微电路 - 微电路综合

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司

起草人：陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文

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