GB/T 43894.1-2024-半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）-国家数字标准馆

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半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）

发布日期： 2024-04-25

实施日期： 2024-11-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H21冶金 - 金属理化性能试验方法 - 金属物理性能试验方法

ICS分类： 77.040冶金 - 金属材料试验

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司

起草人：王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江

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