现行

UNE 20700-11-1991

SEMICONDUCTOR DEVICES. PART 11: SECTIONAL SPECIFICATION FOR DISCRETE DEVICES.
半导体器件 第11部分:分立器件分规范

1991-09-12

现行

GOST 28624-1990

Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
半导体器件 第11部分分立器件的部分规范

现行

IEC 60748-11-1990

Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
半导体器件 - 集成电路 - 第11部分:不包括混合电路的半导体集成电路的分段规范

1990-12-20

现行

KS C IEC 60748-11

반도체 소자 — 집적 회로 — 제11부:반도체 집적 회로에 대한 품종 규격(혼성 회로 제외)
半导体器件 - 集成电路 - 第11部分:不包括混合电路的半导体集成电路的分段规范

2020-07-23

现行

GB/T 12750-2006

半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路）
Semiconductor devices―Integrated circuits―Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits

2006-08-23

现行

KS C IEC 60747-7-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제3절：스위칭용 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第3节:开关用双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

IEC 60748-11-1990/AMD2-1999

Amendment 2 - Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
修改件2.半导体器件.集成电路.第11部分:不包括混合电路的半导体集成电路分规范

1999-04-16

现行

IEC 60748-11-1990/AMD1-1995

Amendment 1 - Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
修改件1.半导体器件.集成电路.第11部分:不包括混合电路的半导体集成电路分规范

1995-06-06

现行

GB/T 7576-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-7-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제2절：저주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-7-4(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제4절：고주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第4节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-7-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제1절：고주파,저주파 증폭용 주위 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-1(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-2(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

GB/T 6352-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

1998-11-17

现行

GB/T 6219-1998

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-3-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제1절：신호 다이오드, 스위칭 다이오드 및 제어 애벌란시 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第一节:信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11