现行

MIL DESC 5962-96647

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 64-STAGE STATIC SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 抗辐射CMOS 64级静态移位寄存器 单片硅

1995-12-08

现行

MIL DESC 5962-96647 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 64-STAGE STATIC SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 64级静态移位寄存器 单片硅

1997-04-04

现行

MIL DESC 5962-96647 Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 64-STAGE STATIC SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 64级静态移位寄存器 单片硅

1997-08-08

现行

MIL DESC 5962-96766 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS, 256 X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS、256 X 8静态RAM、单片硅

1996-06-27

现行

MIL DSCC 5962-96668B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION, HARDENED CMOS, DUAL 64-STAGE STATIC SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射 硬化CMOS 双64级静态移位寄存器 单片硅

2000-05-09

现行

MIL DESC 5962-96766

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS, 256 X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 抗辐射 CMOS 256 X 8静态RAM 单片硅

1996-04-16

现行

MIL DSCC 5962-96633C

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD CLOCKED D LATCH, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96633)
微电路 数字 抗辐射CMOS 四时钟D锁存器 单片硅（取代DESC 5962-96633）

2003-07-02

现行

MIL DESC 5962-96598 Notice C-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 32-STAGE STATIC LEFT/RIGHT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 32级静态左/右移位寄存器 单片硅

1997-07-24

现行

MIL DESC 5962-96694 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-06-10

现行

MIL DESC 5962-96695 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器 数字辐射有序 CMOS/SOS 1kx4静态RAM 单片硅

1996-06-10

现行

MIL DESC 5962-96598 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 32-STAGE STATIC LEFT/RIGHT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 辐射硬化CMOS 32级静态左/右移位寄存器 单片硅

1996-03-05

现行

MIL DESC 5962-96694

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-96695

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器 数字抗辐射 CMOS/SOS 1K X 4静态RAM 单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-96598

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 32-STAGE STATIC LEFT/RIGHT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 抗辐射CMOS 32级静态左/右移位寄存器 单片硅

1995-12-12

现行

MIL DSCC 5962-96623C

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 8-STAGE STATIC SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-96623)
微电路 数字 抗辐射CMOS 8级静态移位寄存器 单片硅（取代DESC 5962-96623）

2003-11-19

现行

MIL DSCC 5962-06233

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, LOW VOLTAGE CMOS, MINIMUM SKEW ONE-TO-EIGHT CLOCK DRIVER, LVTTL COMPATIBLE INPUTS AND OUTPUTS, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 抗辐射 低压CMOS 最小偏差一到八个时钟驱动器 LVTTL兼容的输入和输出 单片硅

2007-03-23

现行

MIL DESC 5962-95823A

MICROCIRCUIT, MEMEORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 8K X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-95823)
微电路 内存 数字 抗辐射 CMOS/SOS 8K X 8静态RAM 单片硅（取代DESC 5962-95823）

1997-09-18

现行

MIL DSCC 5962-95845C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOI, 32K X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95845B)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOI、32K X 8静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-95845B）

2002-04-08

现行

MIL DSCC 5962-99541A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED CMOS, 256K X 8-BIT STATIC RAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-99541)
微电路、存储器、数字、抗辐射CMOS、256K X 8位静态RAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-99541）

2005-12-21

现行

MIL DSCC 5962-96753A

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, CLOCK AND WAIT-STATE GENERATION CIRCUIT, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-96753)
微电路、数字、抗辐射、高级CMOS、时钟和等待状态生成电路、TTL兼容输入、单片硅（取代DSCC 5962-96753）

1999-05-17