现行

MIL DESC 5962-96873

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位PROM、单片硅

1996-10-02

现行

MIL DSCC 5962-95626E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95626D)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-95626D）

2004-02-12

现行

MIL DSCC 5962-01516B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01516A)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3V、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01516A）

2007-02-07

现行

MIL DESC 5962-91624

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS POWER SWITCHED 8K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS功率开关8K X 8位UVEPROM、单片硅

1993-05-14

现行

MIL DSCC 5962-02502

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 抗辐射 3.3V 32K X 8位 单片硅

2001-10-29

现行

MIL DESC 5962-97517

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION - HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-05-30

现行

MIL DSCC 5962-90803C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-90803B)
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-90803B）

2007-06-11

现行

MIL DSCC 5962-87514E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8-BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-87514C)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8位EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-87514C）

2004-06-04

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/260

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1989-01-06

现行

MIL DSCC 5962-07210

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位（4M）、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2007-02-16

现行

MIL DSCC 5962-01532B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 1024K X 8-BIT, (8 M) RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01532A)
微电路 存储器 数字 CMOS 1024K X 8位 （8米）抗辐射 低压SRAM 多芯片模块（取代DSCC 5962-01532A）

2003-02-21

现行

MIL DSCC 5962-89967A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, REGISTERED 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-89967)
微电路、存储器、数字、CMOS、注册8K X 8位PROM、单片硅（取代DESC 5962-89967）

2007-02-21

现行

MIL DSCC 5962-89484A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS REGISTERED 8K X 8- BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-89484)
微电路 存储器 数字 CMOS注册8K X 8位UVEPROM 单片硅（取代DESC 5962-89484）

2007-02-15

现行

MIL DESC 5962-96766 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS, 256 X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS、256 X 8静态RAM、单片硅

1996-06-27

现行

MIL DESC 5962-96766

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS, 256 X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 抗辐射 CMOS 256 X 8静态RAM 单片硅

1996-04-16

现行

MIL DSCC 5962-99606F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512 X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99606E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512 X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99606E）

2002-05-28

现行

MIL DSCC 5962-95708D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, 2K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95708C)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、2K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-95708C）

1999-06-11

现行

MIL DSCC 5962-00536F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-00536E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-00536E）

2007-04-11