GB/T 11297.6-1989-锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法-国家数字标准馆

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锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal

发布日期： 1989-03-31

实施日期： 1990-01-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： L32

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：机械电子工业部第十一研究所

起草人：张培河

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《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。