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现行 MIL DSCC 82010G
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS, 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 82010F) 微电路、存储器、数字、NMOS、65536 X 1位动态RAM、单片硅(取代DSCC 82010F)
发布日期: 2005-03-02
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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