IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV-半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管-国家数字标准馆

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Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors 半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

发布日期： 2017-01-30

IEC 60747-4:20 07+A1:2017提供了以下类别分立器件的要求:可变电容二极管和快断二极管、混频器二极管和检测器二极管、雪崩二极管、耿氏二极管、双极晶体管和场效应晶体管。第二版取消并取代了1991年出版的第一版及其修正案1、2和3（分别为1993年、1999年和2001年），并构成技术修订。该合并版本由第二版（2007年）及其修正案1（2017年）组成。因此，除本出版物外，无需下令修订。

IEC 60747-4:2007+A1:2017 Provides requirements for the following categories of discrete devices: variable capacitance diodes and snap-off diodes, mixer diodes and detector diodes, avalanche diodes, gunn diodes,bipolar transistors and field-effect transistors. This second edition cancels and replaces the first edition, published in 1991, its amendments 1, 2 and 3 (1993, 1999 and 2001, respectively), and constitutes a technical revision. This consolidated version consists of the second edition (2007) and its amendment 1 (2017). Therefore, no need to order amendment in addition to this publication.

分类信息

发布单位或类别：国际组织-国际电工委员会

ICS分类： 31.080.30半导体分立器件 - 三极管、 31.080.10半导体分立器件 - 二极管

关联关系

研制信息

归口单位： TC 47/SC 47E

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