现行

IEC 60747-7-2010+AMD1-2019 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

2019-09-23

现行

IEC 60747-7-2010

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
半导体器件 - 分立器件 - 第7部分:双极晶体管

2010-12-16

现行

KS C IEC 60747-7

반도체 소자 — 개별 소자 — 제7부: 바이폴러 트랜지스터
半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管

2022-12-08

现行

GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors

2023-09-07

现行

IEC 60747-7-2010/AMD1-2019

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
修改件1.半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管

2019-09-23

现行

BS IEC 60747-7-2010+A1-2019

Semiconductor devices. Discrete devices-Bipolar transistors
半导体器件 分立器件

2019-10-23

现行

KS C IEC 60747-7-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제3절：스위칭용 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第3节:开关用双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-7-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제2절：저주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-7-4(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제4절：고주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第4节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

IEC 60747-9-2019

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管

2019-11-13

现行

KS C IEC 60747-9

반도체 소자 — 제9부: 개별 소자 — 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBTs)
半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管

2024-06-07

现行

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

2012-12-31

现行

KS C IEC 60747-7-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제1절：고주파,저주파 증폭용 주위 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

DIN IEC 60747-7-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors (BTRs) (IEC 47E/324/CD:2007)
文件草案.半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管（BTR）（IEC 47E/324/CD:2007）

2007-09-01

现行

GB/T 6217-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section One:Blank detail speci-fication for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

1998-11-17

现行

GB/T 7576-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-4

반도체 소자－개별 소자－제4부：마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

2017-05-30

现行

IEC 60747-8-2010+AMD1-2021 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

2021-06-25

现行

IEC 60747-4-2007+AMD1-2017 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

2017-01-30

现行

IEC 60747-8-2010

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

2010-12-15