IEC 62047-9:2011-半导体器件 - 微机电器件 - 第9部分:晶圆晶片接合强度测量-国家数字标准馆

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Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS 半导体器件 - 微机电器件 - 第9部分:晶圆晶片接合强度测量

发布日期： 2011-07-13

                IEC 62047-9:2011描述了晶圆对晶圆键合的键合强度测量方法、键合工艺类型，如硅对硅熔合键合、硅对玻璃阳极键合等，以及MEMS加工/组装过程中适用的结构尺寸。适用的晶圆厚度在10欧姆到几毫米之间。
本副本包含2012年3月勘误表的内容。

IEC 62047-9:2011 describes bonding strength measurement method of wafer to wafer bonding, type of bonding process such as silicon to silicon fusion bonding, silicon to glass anodic bonding, etc., and applicable structure size during MEMS processing/assembly. The applicable wafer thickness is in the range of 10 ohmm to several millimeters.
The contents of the corrigendum of March 2012 have been included in this copy.

分类信息

发布单位或类别：国际组织-国际电工委员会

ICS分类： 31.080.99半导体分立器件 - 其他半导体分立器件

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研制信息

归口单位： TC 47/SC 47F

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