MIL DSCC 5962-02501B-微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 8位、低压（3.3 V）SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-02501A）-国家数字标准馆

现行 MIL DSCC 5962-02501B

到馆提醒

收藏跟踪

购买正版

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8-BIT, LOW VOLTAGE (3.3 V) SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-02501A) 微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 8位、低压（3.3 V）SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-02501A）

发布日期： 2004-09-07

分类信息

发布单位或类别：美国-美国军事规范和标准

关联关系

研制信息

相似标准/计划/法规

现行

MIL DSCC 5962-02502

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器数字 CMOS 抗辐射 3.3V 32K X 8位单片硅

2001-10-29

现行

MIL DSCC 5962-98615A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATIONHARDENED, CMOS, LOW VOLTAGE, 128K X 8-BIT STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-98615)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、低压、128K X 8位静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-98615）

2006-01-18

现行

MIL DSCC 5962-06203

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS/SOI, 512K X 8-BIT, RADIATIONHARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS/SOI、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2006-07-18

现行

MIL DSCC 5962-01516B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01516A)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3V、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01516A）

2007-02-07

现行

MIL DSCC 5962-01517C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01517B)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3 V、32K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01517B）

2006-06-06

现行

MIL DSCC 5962-07210

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位（4M）、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2007-02-16

现行

MIL DSCC 5962-05208B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATIONHARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-05208A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-05208A）

2006-01-17

现行

MIL DSCC 5962-99607G

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99607F)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99607F）

2002-12-08

现行

MIL DSCC 5962-01532B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 1024K X 8-BIT, (8 M) RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01532A)
微电路存储器数字 CMOS 1024K X 8位（8米）抗辐射低压SRAM 多芯片模块（取代DSCC 5962-01532A）

2003-02-21