ISO 12406:2010-表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法 -国家数字标准馆

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Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon 表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法

发布日期： 2010-11-08

                ISO 12406:2010规定了二次离子质谱方法，使用磁扇形或四极质谱仪对硅中的砷进行深度剖析，并使用触针轮廓术或光学干涉法进行深度校准。该方法适用于砷原子浓度在1 × 1016原子/cm3和2.5 × 1021原子/cm3之间的单晶、多晶或非晶硅样品，以及50 nm或更深的坑深度。

ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 1016 atoms/cm3 and 2,5 x 1021 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

分类信息

发布单位或类别：国际组织-国际标准化组织

ICS分类： 71.040.40分析化学 - 化学分析

关联关系

研制信息

归口单位： ISO/TC 201/SC 6

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