MIL DSCC 5962-95822A-微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOS、64K X 1位静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-95822）-国家数字标准馆

现行 MIL DSCC 5962-95822A

到馆提醒

收藏跟踪

购买正版

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 64K X 1-BIT STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95822) 微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOS、64K X 1位静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-95822）

发布日期： 1998-10-02

分类信息

发布单位或类别：美国-美国军事规范和标准

关联关系

研制信息

相似标准/计划/法规

现行

MIL DESC 5962-96694

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-96694 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-06-10

现行

MIL DESC 5962-96695

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器数字抗辐射 CMOS/SOS 1K X 4静态RAM 单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-96695 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器数字辐射有序 CMOS/SOS 1kx4静态RAM 单片硅

1996-06-10