范围:本标准规定了分布式薄膜压力传感器（以下简称“传感器”）的结构、参数、技术要求、试验方法和检验规则。 本标准适用于所有以网格化半导体基材构成传感器基本感测原件，以单层厚度不超过 0.5mm 的薄膜作为唯一绝缘材料覆盖压敏电阻器形成的分布式薄膜压力传感器的生产、技术控制和检验; 主要技术内容:（1）范围本标准规定了分布式薄膜压力传感器（以下简称“传感器”）的型号、结构、参数、基本要求、技术要求、试验方法和检验规则。本标准适用于分布式薄膜压力传感器的检验和技术控制。（2）规范性引用文件本标准主要引用的文件主要包括：GB/T 191  包装储运图示标志GB/T 2423.5  环境试验  第 2 部分：试验方法  试验Ea和导则：冲击GB/T 2828.1  计数抽样检验程序  第 1 部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 7665  传感器通用术语GB/T 13384  机电产品包装通用技术条件GB/T 15478—2015  压力传感器性能试验方法GB/T 17626.2  电磁兼容  试验和测量技术  静电放电抗扰度试验GB/T 17626.3  电磁兼容  试验和测量技术  射频电磁场辐射抗扰度试验GB/T 17626.9  电磁兼容  试验和测量技术  脉冲磁场抗扰度试验GB/T 18806—2002  电阻应变式压力传感器总规范（3）术语及定义主要包括分布式薄膜压力传感器、准确度和滞后性的定义。（4）结构介绍了传感器内部呈多层结构。最核心的两层是行列交织的网格化压阻半导体基材，外层依次分布走线层和保护层。并以图示进行说明。（5）参数明确了传感器的厚度、传感器点数、传感器最大行列数、量程等基本参数。（6）技术要求主要从外观、尺寸偏差、性能要求、电磁兼容性、抗冲击性能、环境适应性和绝缘电阻这几个方面出发进行规范。性能要求中包括了准确度、线性误差、重复性、滞后性等关键性能指标；电磁兼容性中的静电放电抗扰度、射频电磁场辐射抗扰度、脉冲磁场抗扰度以及抗冲击性能体现了传感器在外磁场、冲击影响下的动态性能。（7）试验方法首先对试验的环境条件等作出一般性规定，其次针对技术要求中的各项要求规定了相应的试验方法。（8）检验规则分为出厂检验和型式检验，同时对检验的组批、抽样、判定规则进行规范