GB/T 14146-2009-硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法-国家数字标准馆

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硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

废止日期： 2021-12-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心

起草人：马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平

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