本标准适用于低功率FET，并将用于测量特性S的斜率对于小信号的方法。 （该信号被认为是小的，如果它降低了在参数两倍变化的振幅被测量误差内）

Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)