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现行 MIL DSCC 5962-94524A
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON=20(SUPERSEDING DESC 5962-94524) 微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅=20(取代DESC 5962-94524)
发布日期: 2007-03-22
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL DESC 5962-91568 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅
1993-09-20
现行
MIL DESC 5962-91568
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅
1992-11-19
现行
MIL DSCC 5962-88670D
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE, PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88670C)
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2006-08-18
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MIL DSCC 5962-91546B
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91546A)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程逻辑阵列、单片硅(取代DESC 5962-91546A)
2007-01-29
现行
MIL DESC 5962-94712 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字存储器、CMOS、可编程逻辑阵列、单片硅
1995-06-16
现行
MIL DESC 5962-94712 Notice B-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字存储器、CMOS、可编程逻辑阵列、单片硅
1996-10-04
现行
MIL DESC 5962-94712
MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字存储器、CMOS、可编程逻辑阵列、单片硅
1994-10-18
现行
MIL DESC 5962-94524
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-94524A)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅(S/S由DSCC 5962-94524A提供)
1994-01-21
现行
MIL DESC 5962-95612 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字CMOS、可编程逻辑单元阵列、单片硅
1996-10-04
现行
MIL DESC 5962-95610 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字CMOS、可编程逻辑单元阵列、单片硅
1996-10-04
现行
MIL DESC 5962-95611 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字CMOS、可编程逻辑单元阵列、单片硅
1996-10-04
现行
MIL DESC 5962-95610
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字CMOS 可编程逻辑单元阵列 单片硅
1996-03-12
现行
MIL DESC 5962-95611
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字CMOS 可编程逻辑单元阵列 单片硅
1996-03-12
现行
MIL DESC 5962-95612
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字CMOS 可编程逻辑单元阵列 单片硅
1996-03-12
现行
MIL MIL-M-38510/508 Amendment 1
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅(S/S BY MIL-M-38510/508A)
1992-02-20
现行
MIL MIL-M-38510/508 Notice 1-Inactivation
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅(S/S BY MIL-M-38510/508A)
1995-07-28
现行
MIL MIL-M-38510/508 Notice 2-Validation
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅(S/S BY MIL-M-38510/508A)
2001-05-22
现行
MIL DSCC 5962-94754E
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, (RAD-HARD), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-94754D)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列(RAD-HARD)、单片硅(取代DSCC 5962-94754D)
2004-09-09
现行
MIL DSCC 5962-98511
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 62000 GATE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、62000门可编程逻辑阵列、单片硅
1998-11-23
现行
MIL DESC 5962-93168 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS电可擦除可编程逻辑阵列、单片硅
1995-02-03