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被代替
GB/T 4587-1994
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
Semiconductor discrete devices and integrated circuits—Part 7:Bipolar transistors
发布单位或类别:国家标准
发布日期: 1994-12-30
现行
SJ 20174-1992
半导体分立器件 3DK2221(2221A、2222、2222A)型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2221,3DK2221A, 3DK2222 and 3DK2222A
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1992-11-19
ICS分类:
现行
SJ 20173-1992
半导体分立器件 3DK2218(2218A、2219、2219A)型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2218,3DK2218A, 3DK2219 and 3DK2219A
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1992-11-19
ICS分类:
现行
SJ 50033/139-1998
半导体光电子器件 GF4111型绿色发光二级管详细规范
Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for green light-emitting diode for type GF4111
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1998-03-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 50033/138-1998
半导体光电子器件 GF318型黄色发光二级管详细规范
Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for yellow light-emitting diode for type GF318
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1998-03-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 50033/87-1995
半导体分立器件 CS4091~CS4093型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS4091~CS4093 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1995-05-25
ICS分类:
现行
SJ 50033/86-1995
半导体分立器件 CS5114~CS5116型硅P沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS5114~CS5116 silicon P-channel deplition mode field-effect transistor
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1995-05-25
ICS分类:
现行
SJ 50033/85-1995
半导体分立器件 CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1995-05-25
ICS分类:
现行
SJ 50033/84-1995
半导体分立器件 CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS140 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1995-05-25
ICS分类:
现行
SJ 50033/83-1995
半导体分立器件 CS139型硅P沟道MOS增强型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 1995-05-25
ICS分类: