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被代替
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 10482-1994
半导体深能级的瞬态电容测试方法
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Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-04-11
CCS分类：
M00/09通信、广播综合
ICS分类：
31.080半导体分立器件
现行
SJ 51427/5-1999
B5-P-6.5/125-2型偏振保持光纤详细规范
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B5-P-6.5/125-2 optical fiber,palarization maintaining,detail specification for
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1999-11-10
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 20750-1999
军用CMOS电路用抗幅射硅单晶片规范
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Specification for radiation hardened monocrystal silicon wafers for millitary CMOS integrated circuits
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1999-11-10
CCS分类：
ICS分类：
被代替
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
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Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
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Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2003-06-16
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ 51427/8-2002
C1-5.5/80-2型偏振保持光纤详细规范
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Fibre,optic,palarization maintaining,panda,C1-5.5/80-2,detail specification for
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2002-10-30
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 51427/7-2002
62.5/125μm多模光纤详细规范
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Fibre,optic,62.5/125,detail specification for
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2002-10-30
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 20843-2002
砷化镓单晶AB微缺陷密度定量检验方法
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Quantitaive determination of AB microscopic defect density in gallium arsenide single crystal
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2002-10-30
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 20842-2002
砷化镓表面镓砷比的测试方法
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Test method for Ga/As ratio of surface of gallium arsenide
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2002-10-30
CCS分类：
ICS分类：
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