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起草人: 黄世杰
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现行
SJ 20063-1992
半导体分立器件 ３ＤＧ２１３型ＮＰＮ硅超高频低噪声双差分对晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise dual-difference match transistor of Type 3DG213
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1992-11-19
ICS分类：
现行
SJ 20062-1992
半导体分立器件 ３ＤＧ２１０型ＮＰＮ硅超高频低噪声差分对晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN ultra-high frequency low-noise difference match transistor of Type 3DG210
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1992-11-19
ICS分类：
现行
SJ 50033/96-1995
半导体分立器件3DG216型NPN硅小功率差分对晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices Detail specification for Type 3DG216 NPN silicon low-power difference matched-pair transistor
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1996-06-14
ICS分类：
现行
SJ 50033/68-1995
半导体分立器件 ＢＴ５１型ＮＰＮ硅小功率差分对晶体管详细规范
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Semiconductors discrete device--Detail specification for Type BT51 NPN-silicon small power difference matched-pair transistor
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1995-05-25
ICS分类：
废止
DB45/T 2574-2022
龙脊茶加工技术规程
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发布单位或类别：广西壮族自治区地方标准
发布日期： 2022-08-25
CCS分类：X55茶叶制品
ICS分类：67.140.10茶
现行
GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
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Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 1998-11-17
ICS分类：31.080.30三极管
现行
GB/T 6730.72-2016
铁矿石 砷、铬、镉、铅和汞含量的测定 电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）
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Iron ores—Determination of arsenic, chromium, cadmium, lead and mercury content—Inductively coupled plasma-mass spectrometry method (ICP-MS)
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2016-02-24
CCS分类：D31铁矿
ICS分类：73.060.10铁矿
现行
GB/T 31311-2014
冶金级萤石 铅含量的测定 溶剂萃取原子吸收光谱法
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Metallurgical-grade fluorspar―Determination of lead content―Solvent extraction atomic absorption spectrometric method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2014-12-05
ICS分类：73.080非金属矿
现行
GB/T 6730.38-2017
铁矿石 钴含量的测定 亚硝基-R盐分光光度法
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Iron ores—Determination of cobalt content—Nltroso-R salt spectrophotometric method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2017-09-07
CCS分类：D31铁矿
ICS分类：73.060.10铁矿
现行
GB/T 6217-1998
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
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Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section One:Blank detail speci-fication for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 1998-11-17
ICS分类：31.080.30三极管
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