MIL DSCC 5962-86052C-微电路、存储器、数字、双极256 X 8位随机存取存储器（RAM）、单片硅（取代DESC 5962-86052A）-国家数字标准馆

现行 MIL DSCC 5962-86052C

到馆提醒

收藏跟踪

购买正版

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BIPOLAR 256 X 8-BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-86052A) 微电路、存储器、数字、双极256 X 8位随机存取存储器（RAM）、单片硅（取代DESC 5962-86052A）

发布日期： 2006-05-16

分类信息

发布单位或类别：美国-美国军事规范和标准

关联关系

研制信息

相似标准/计划/法规

现行

MIL MIL-M-38510/230A Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON
双极256位随机存取存储器（RAM）单片硅数字微电路

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/230A Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON
双极256位随机存取存储器（RAM）单片硅数字微电路

2006-01-31

现行

MIL MIL-M-38510/230A Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON
双极256位随机存取存储器（RAM）单片硅数字微电路

2001-04-26

现行

MIL MIL-M-38510/230A

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/230)
微电路、数字、双极性256位随机存取存储器（RAM）单片硅（取代MIL-M-38510/230）

1984-09-04

现行

MIL DSCC 5962-93156B

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路混合存储器数字静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位（取代DESC 5962-93156A）

2000-07-10

现行

MIL DSCC 79018C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128 X 8-BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 79018A)
微电路、存储器、数字、CMOS 128 X 8位随机存取存储器（RAM）、单片硅（取代DESC 79018A）

2006-03-16

现行

MIL DSCC 5962-93157G

MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID AND MONOLITHIC, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 256K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-93157F)
微电路存储器混合和单片数字静态随机存取存储器 CMOS 256K X 8位（取代DSCC 5962-93157F）

2002-04-02

现行

MIL DSCC 81039G

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS 16K (2048 X 8) BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 81039E)
微电路、存储器、数字、NMOS 16K（2048 X 8）位静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 81039E）

2006-03-28