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现行 BS 9300 C476:1973
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Detail specification for silicon avalanche rectifier diode 硅雪崩整流二极管详细规范
发布日期: 1973-10-15
交叉引用:BS 9300
Cross References:BS 9300
分类信息
发布单位或类别: 英国-英国标准学会
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
BS 9300 C667-668-1971
Detail specification for silicon avalanche rectifier diodes
硅雪崩整流二极管详细规范
1971-08-15
现行
GB/T 16894-1997
大于100A,环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
1997-06-28
现行
BS 9300 C379-388-1971
Detail specifications for silicon stud mounted, power rectifier diodes
硅螺柱安装的功率整流二极管详细规范
1971-03-15
现行
KS C IEC 60747-2-1(2016 Confirm)
반도체 소자-개별 소자-제2부:정류 다이오드-제1절:100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100A及以下环境和外壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
2006-12-11
现行
KS C IEC 60747-2-1(2021 Confirm)
반도체 소자-개별 소자-제2부:정류 다이오드-제1절:100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
2006-12-11
现行
KS C IEC 60747-2-2(2016 Confirm)
반도체 소자-개별 소자-제2부:정류 다이오드-제2절:100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
2006-12-11
现行
KS C IEC 60747-2-2(2021 Confirm)
반도체 소자-개별 소자-제2부:정류 다이오드-제2절:100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
2006-12-11
现行
BS QC 750109-1993
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 空白详细规范 整流二极管(包括雪崩整流二极管) 环境和外壳额定 电流大于100 A
1994-02-15
现行
GB/T 6351-1998
半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 2:Rectifier diodes--Section One:Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti fier diodes),ambient and case-rated,up to 100A
1998-11-17
现行
SJ 50033.47-1994
半导体分立器件2CZ117型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ117 silicon rectifier diode
1994-09-30
现行
SJ 50033.46-1994
半导体分立器件2CZ59型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode
1994-09-30
现行
SJ 50033.45-1994
半导体分立器件2CZ58型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ58 silicon rectifier diode
1994-09-30
现行
SJ 20067-1992
半导体分立器件 2CZ30型硅整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 2CZ30 silicon rectifier diode
1992-11-19
现行
BS QC 750108-1990
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 整流二极管(包括雪崩整流二极管) 环境和外壳额定 高达100 A
1990-02-15
现行
SJ 50033/39-1994
半导体分立器件 2CZ106型开关整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 2CZ106 silicon switching rectifier diode
1994-09-30
现行
SJ 50033/20-1994
半导体分立器件 2CZ101型硅开关整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switch-rectifier diode for type 2CZ101
1994-09-30
现行
SJ 50033/21-1994
半导体分立器件 2CZ75型硅开关整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switch-rectifier diode for type 2CZ75
1994-09-30
现行
SJ 50033.43-1994
半导体分立器件2CZ104型硅开关整流二极管详细规范
Semiconductor dicrete device Detail specification for type 2CZ104 silicon switching rectifier diode
1994-09-30
现行
SJ 50033/19-1994
半导体分立器件 2CZ74型硅开关整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switch-rectifier diode for type 2CZ74
1994-09-30
现行
SJ 50033/18-1994
半导体分立器件 2CZ73型硅开关整流二极管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon switch-rectifier diode for type 2CZ73
1994-09-30