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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS 16K (16,384 X 1) BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 82007B) 微电路、存储器、数字、NMOS 16K(16384 X 1)位静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DESC 82007B)
发布日期: 2006-04-03
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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