首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
现行 MIL DSCC 5962-01529A
到馆提醒
收藏跟踪
购买正版
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01529) 微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 1静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DSCC 5962-01529)
发布日期: 2007-02-07
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL DESC 5962-91593
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 16K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、16K X 4静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅
1993-05-13
现行
MIL DSCC 5962-95624C
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS
2006-02-06
现行
MIL DESC 5962-90858
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 64K X 16 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 16静态随机存取存储器 单片硅
1991-01-29
现行
MIL DSCC 5962-91508C
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91508B)
微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 8双端口静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DESC 5962-91508B)
2007-01-31
现行
MIL DESC 5962-92172
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 16K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、16K X 4静态随机存取存储器(SRAM)、独立I/O、单片硅
1993-05-20
现行
MIL DSCC 82007C
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS 16K (16,384 X 1) BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 82007B)
微电路、存储器、数字、NMOS 16K(16384 X 1)位静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DESC 82007B)
2006-04-03
现行
MIL DESC 5962-90622 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路
1995-10-30
现行
MIL DESC 5962-90622 Notice B-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路
1998-03-06
现行
MIL DESC 5962-90622 Notice C-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路
1998-07-20
现行
MIL DESC 5962-90622
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器单片硅
1992-03-05
现行
MIL DSCC 5962-92154A
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-92154)
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 1静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DESC 5962-92154)
2001-07-05
现行
MIL DSCC 81039G
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS 16K (2048 X 8) BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 81039E)
微电路、存储器、数字、NMOS 16K(2048 X 8)位静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DESC 81039E)
2006-03-28
现行
MIL DSCC 5962-93156B
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位(取代DESC 5962-93156A)
2000-07-10
现行
MIL DSCC 5962-94611R
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS (SUPERSEDING DSCC 5962-94611P)
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS(取代DSCC 5962-94611P)
2004-05-03
现行
MIL DSCC 5962-95595N
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-95595M)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位(取代DSCC 5962-95595M)
2004-01-07
现行
MIL DESC 5962-90696
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的256 X 4静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅
1993-03-04
现行
MIL DSCC 5962-87513C
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 1 AND 1K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-87513B)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 1和1K X 4静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DESC 5962-87513B)
2006-08-16
现行
MIL DESC 5962-96889
MICROCIRCUIT DIE, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路芯片 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器(DRAM) 单片硅
1996-10-15
现行
MIL DESC 5962-91508B
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-91508A)(S/S BY DSCC 5962-91508C)
微电路、数字存储器、CMOS、16K X 8双端口静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DSCC 5962-91508A)
1997-01-17
现行
MIL DSCC 5962-93157G
MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID AND MONOLITHIC, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 256K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-93157F)
微电路 存储器 混合和单片 数字 静态随机存取存储器 CMOS 256K X 8位(取代DSCC 5962-93157F)
2002-04-02