MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 16K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、16K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-05-13

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 8K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、8K X 8静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1994-06-28

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01529)
微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-01529）

2007-02-07

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS 16K (2048 X 8) BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 81039E)
微电路、存储器、数字、NMOS 16K（2048 X 8）位静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 81039E）

2006-03-28

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS 16K (16,384 X 1) BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 82007B)
微电路、存储器、数字、NMOS 16K（16384 X 1）位静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 82007B）

2006-04-03

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91508B)
微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91508B）

2007-01-31

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的256 X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-03-04

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91612A)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91612A）

2006-11-01

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 1 AND 1K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-87513B)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 1和1K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-87513B）

2006-08-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 4静态随机存取存储器（SRAM） 具有独立I/O和透明写入 单片硅

1992-12-09

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-91508A)(S/S BY DSCC 5962-91508C)
微电路、数字存储器、CMOS、16K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-91508A）

1997-01-17

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91612)(S/S BY DSCC 5962-91612B)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91612）（由DSCC 5962-91612B提供）

1995-11-29