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现行 MIL DESC 5962-91508B
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-91508A)(S/S BY DSCC 5962-91508C) 微电路、数字存储器、CMOS、16K X 8双端口静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DSCC 5962-91508A)
发布日期: 1997-01-17
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
相似标准/计划/法规
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MIL DSCC 5962-91508C
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2007-01-31
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2006-08-08
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2007-04-04
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2001-02-27
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 DUAL PORT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-93153A)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 9双端口、静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DSCC 5962-93153A)
2006-05-16
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MIL DESC 5962-89691A
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2005-05-18
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MIL DESC 5962-85525B
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, 8K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (S/S BY DSCC 5962-38294G)
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1990-10-29
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MIL DSCC 5962-92153M
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2006-08-01
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微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8静态随机存取存储器(SRAM)低功耗单片硅(取代DSCC 5962-88552E)
2002-08-16