MIL DSCC 5962-90620A-微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-90620）-国家数字标准馆

现行 MIL DSCC 5962-90620A

到馆提醒

收藏跟踪

购买正版

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-90620) 微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-90620）

发布日期： 2007-04-04

分类信息

发布单位或类别：美国-美国军事规范和标准

关联关系

研制信息

相似标准/计划/法规

MIL DSCC 5962-87002E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-87002D)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-87002D）

MIL DESC 5962-90620

MIICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90620A)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（S/S由DSCC 5962-90620A提供）

MIL DESC 5962-89764A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89764)
微电路存储器数字 CMOS 4K X 8双端口静态随机存取存储器单片硅（取代DESC 5962-89764）

MIL DSCC 5962-91508C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91508B)
微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91508B）

MIL DSCC 5962-86875D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-86875C)
微电路、存储器、数字、CMOS、1K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-86875C）

MIL DESC 5962-87002D

MICROCIRCUITS, DIGITAL, MEMORY, 2K X 8 CMOS, STATIC RAM (DUA PORT), MONOLITHIC SILICON(S/S BY DESC 5962-87002E)
微电路、数字、存储器、2K X 8 CMOS、静态RAM（DUA端口）、单片硅（S/S由DESC 5962-87002E提供）

MIL DSCC 5962-96845B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4K X 8/9 RADIATION-HARDENED DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-96845A)
微电路存储器数字 CMOS 4K X 8/9抗辐射双端口静态随机存取存储器（SRAM）单片硅（取代DSCC 5962-96845A）

MIL DSCC 5962-91662B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 16 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-91662A)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 16双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-91662A）

MIL DSCC 5962-91617D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 16 DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-91617C)
微电路存储器数字 CMOS 8K X 16双端口静态随机存取存储器（SRAM）单片硅（取代DSCC 5962-91617C）

MIL DSCC 5962-93153B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 DUAL PORT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-93153A)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 9双端口、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-93153A）

MIL DESC 5962-91508B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-91508A)(S/S BY DSCC 5962-91508C)
微电路、数字存储器、CMOS、16K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-91508A）

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统