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现行 MIL DSCC 5962-91662B
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 16 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-91662A) 微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 16双端口静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DSCC 5962-91662A)
发布日期: 2006-11-06
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
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微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8双端口静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(S/S由DSCC 5962-90620A提供)
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1997-01-17
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微电路 混合 存储器 双数字 单128K X 16位静态随机存取存储器 带独立数据总线和单128K X 16位闪存可擦除/可编程只读存储器 带独立数据总线(取代DSCC 5962-96900E)
2003-11-10