现行

MIL DESC 5962-96695 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器 数字辐射有序 CMOS/SOS 1kx4静态RAM 单片硅

1996-06-10

现行

MIL DESC 5962-96695

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器 数字抗辐射 CMOS/SOS 1K X 4静态RAM 单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-89790

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 4 STATIC RAM WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的4K X 4静态RAM、单片硅

1992-12-21

现行

MIL DESC 5962-96694 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-06-10

现行

MIL DESC 5962-96694

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-89764A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89764)
微电路 存储器 数字 CMOS 4K X 8双端口静态随机存取存储器 单片硅（取代DESC 5962-89764）

1997-10-23

现行

MIL DSCC 5962-86705F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-86705E)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 4静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-86705E）

2006-01-30

现行

MIL DSCC 5962-86875D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-86875C)
微电路、存储器、数字、CMOS、1K X 8双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-86875C）

2006-08-08

现行

MIL DSCC 5962-93153B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 DUAL PORT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-93153A)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 9双端口、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-93153A）

2006-05-16

现行

MIL DSCC 5962-91662B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 16 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-91662A)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 16双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-91662A）

2006-11-06

现行

MIL DESC 5962-90696

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的256 X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-03-04

现行

MIL DESC 5962-87513B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 4K X 1 AND 1K X 4, CMOS SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-87513A)(S/S BY DSCC 5962-87513C)
数字微电路 4K X 1和1K X 4 CMOS SRAM 单片硅（取代DESC 5962-87513A）（由DSCC 5962-87513C提供）

1996-08-09

现行

MIL DSCC 5962-91612B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91612A)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91612A）

2006-11-01

现行

MIL DSCC 5962-92154A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-92154)
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-92154）

2001-07-05

现行

MIL DSCC 5962-01529A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01529)
微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-01529）

2007-02-07

现行

MIL DSCC 5962-96845B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4K X 8/9 RADIATION-HARDENED DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-96845A)
微电路 存储器 数字 CMOS 4K X 8/9抗辐射双端口静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（取代DSCC 5962-96845A）

2001-02-27

现行

MIL DESC 5962-90664

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 4静态随机存取存储器（SRAM） 具有独立I/O和透明写入 单片硅

1992-12-09

现行

MIL DESC 5962-93128A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93128)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅（取代DESC 5962-93128）

1993-08-31

现行

MIL DSCC 5962-92316D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1MEG X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-92316C)
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的1MEG X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-92316C）

2006-05-31

现行

MIL DESC 5962-91612A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91612)(S/S BY DSCC 5962-91612B)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91612）（由DSCC 5962-91612B提供）

1995-11-29