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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91612)(S/S BY DSCC 5962-91612B) 微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代DESC 5962-91612)(由DSCC 5962-91612B提供)
发布日期: 1995-11-29
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
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