现行

MIL DSCC 5962-91612B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91612A)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91612A）

2006-11-01

现行

MIL DESC 5962-90622 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1995-10-30

现行

MIL DESC 5962-90622 Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1998-03-06

现行

MIL DESC 5962-90622 Notice C-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1998-07-20

现行

MIL DESC 5962-90622

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器单片硅

1992-03-05

现行

MIL DSCC 85152F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS, 256K X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 85152E)
微电路、存储器、数字、NMOS、256K X 1动态随机存取存储器（DRAM）、单片硅（取代DESC 85152E）

2006-05-02

现行

MIL DESC 5962-96889

MICROCIRCUIT DIE, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路芯片 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器（DRAM） 单片硅

1996-10-15

现行

MIL DSCC 5962-93157G

MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID AND MONOLITHIC, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 256K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-93157F)
微电路 存储器 混合和单片 数字 静态随机存取存储器 CMOS 256K X 8位（取代DSCC 5962-93157F）

2002-04-02

现行

MIL DESC 5962-91612A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91612)(S/S BY DSCC 5962-91612B)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-91612）（由DSCC 5962-91612B提供）

1995-11-29

现行

MIL DESC 5962-93128A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93128)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅（取代DESC 5962-93128）

1993-08-31

现行

MIL DSCC 5962-90622D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-90622)
微电路、存储器、数字、CMOS 4M X 1动态随机存取存储器（DRAM）单片硅（取代DESC 5962-90622）

2007-05-03

现行

MIL DESC 5962-90696

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的256 X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-03-04

现行

MIL DSCC 5962-96889A

MICROCIRCUIT DIE, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-96889)
微电路芯片 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器（DRAM） 单片硅（取代DESC 5962-96889）

2006-04-05

现行

MIL DSCC 5962-87513C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 1 AND 1K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-87513B)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 1和1K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-87513B）

2006-08-16

现行

MIL DESC 5962-90664

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 4静态随机存取存储器（SRAM） 具有独立I/O和透明写入 单片硅

1992-12-09

现行

MIL DSCC 5962-97545D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 16-BIT X 2-BANK, SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (SDRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-97545A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 16位X 2组、同步动态随机存取存储器（SDRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-97545A）

2002-04-04