MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1995-10-30

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1998-03-06

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1998-07-20

MICROCIRCUIT DIE, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路芯片 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器（DRAM） 单片硅

1996-10-15

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM) MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-90622)
微电路、存储器、数字、CMOS 4M X 1动态随机存取存储器（DRAM）单片硅（取代DESC 5962-90622）

2007-05-03

MICROCIRCUIT DIE, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-96889)
微电路芯片 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器（DRAM） 单片硅（取代DESC 5962-96889）

2006-04-05

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS, 256K X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 85152E)
微电路、存储器、数字、NMOS、256K X 1动态随机存取存储器（DRAM）、单片硅（取代DESC 85152E）

2006-05-02

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 4 DYNAMIC RANDOM ACCESS (DRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-90617)
微电路、存储器、数字、CMOS 256K X 4动态随机存取（DRAM）、单片硅（取代DESC 5962-90617）

1998-10-02

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-92154)
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-92154）

2001-07-05

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01529)
微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-01529）

2007-02-07

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 16-BIT X 2-BANK, SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (SDRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-97545A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 16位X 2组、同步动态随机存取存储器（SDRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-97545A）

2002-04-04

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 1 AND 1K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-87513B)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 1和1K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-87513B）

2006-08-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93128)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅（取代DESC 5962-93128）

1993-08-31

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1MEG X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-92316C)
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的1MEG X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-92316C）

2006-05-31

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1,048,576/1-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/249) (S/S BY MIL-M-38510/249B)
微电路 存储器 数字 CMOS 1048576/1位动态随机存取存储器（DRAM） 单片硅（取代MIL-M-38510/249）（由MIL-M-38510/249B代替S/S）

2001-10-10

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1,048,576/1-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/249) (S/S BY MIL-M-38510/249B)
微电路、存储器、数字、CMOS、1048576/1位动态随机存取存储器（DRAM）、单片硅（取代MIL-M-38510/249）（由MIL-M-38510/249B替代）

1990-02-13